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扇入和扇出型封装流程

这里需要说明的是，为提高晶圆级封装的可靠性，目前存在多种焊球装配工艺，其中包括氮化物层上焊球、聚合物层上焊球、铜柱晶圆级封装等等。***是RDL层/聚合物层上用UBM层装配焊球的方法。扇入型标准封装裸片是直接暴露于空气中(裸片周围无模压复合物)，人们担心这种封装非常容易受到外部风险的影响。优化晶片切割工艺是降低失效风险的首要措施。封装技术的运用：封装不仅仅是制造过程的后一步，它正在成为产品创新的催化剂。

微通孔分离

随着电子器件中的间距越来越小，微通孔技术在PCB中的应用呈式增长。微孔堆叠多达三或四层高已经变得非常普遍。然而，如果这些设计没有使用正确的材料和几何形状，微孔可能会经历意想不到的开裂和分层。热-机械应力、水分、振动和其他应力会导致微孔的分离，以及与电镀通孔(PTH)顶部或底部的铜迹线的分层。此外，这种封装技术的聚合物层末端靠近裸片边缘，因为热膨胀系数（CTE）失匹，这个区域会出现附加的残余应力。Sherlock分析这些问题区域，会考虑回流和/或操作过程中的超应力条件，并可以预测疲劳何时会导致过孔或贯穿孔、通孔、路由层和凸点下金属层(UBM)接点之间的互连故障。

就封装形式而言，它属于已有封装形式的派生品，因此可直接按照现有封装形式分为四类：框架封装形式、硬质基板封装形式、软质基板封装形式和芯片级封装。Single-ended中COF是将芯片直接粘贴在柔性线路板上(现有的用Flip-Chip技术)，再经过塑料包封而成，它的特点是轻而且很薄，所以当前被广泛用在液晶显示器(LCD)上，以满足LCD分辨率增加的需要。此封装的基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分，当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料QFP。DIP(DualIn-linePACkage)：双列直插式封装，插装型封装之一，指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，体积比较大。塑料QFP是普及的多引脚LSI封装。

所谓封装测试其实就是封装后测试,把已制造完成的半导体元件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的需求的过程称为封装后测试。WLCSP有着更明显的优势：是工艺大大优化，晶圆直接进入封装工序，而传统工艺在封装之前还要对晶圆进行切割、分类；所有集成电路一次封装，刻印工作直接在晶圆上进行，设备测试一次完成，有别于传统组装工艺。Dual此封装形式的特点是引脚全部在两边，而且引脚的数量不算多。它的封装形式比较多，又可细分为SOT、SOP、SOJ、SSOP、HSOP及其他。封装测试设备之组件封装：组件封装式PQFP（PlasticQuadFlatPackage塑料四方扁平包装）这种封装的芯片引脚之间的距离很小，管脚很细，一般大规模或超大集成电路都采用这种封装形式，其引脚一般在100个以上。